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公司企业和主营IC,中国功率器件产业的未来发展趋势

文章作者:关于金沙 上传时间:2019-11-24

原标题:国内大陆IC设计(Fabless)公司企业和主营IC(60强)

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电工电气网】讯

自1988年以来,IC代工厂的成功主要通过IDM外包的形式促进销售增长。目前IC代工厂主要有两类客户,一类叫IDM,如英特尔、三星、美光、TI、恩智浦、东芝、英飞凌、ST等,它们是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业,有些甚至有自己的下游整机环节。另一类叫Fabless,如高通、博通、联发科、展讯、AMD等等,它们没有芯片加工厂,自己设计开发和推广销售芯片,与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商,那就是晶圆代工厂(Foundry),如台积电、格罗方德、中芯国际、台联电等。

功率半导体器件 又称为电力电子器件,是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。 主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等,同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源交通、轨道交通、 工业控制、 发电与配电等电力、电子领域,涵盖低、中、高各个功率层级。

日本半导体厂商罗姆于昨日宣布收购松下半导体事业部门经营的二极管与三极管事业部分业务。预定转让时间为2019年10月。为确保向客户稳定供给,顺利进行业务转让,目前将由罗姆向松下公司委托生产,以保持与以往完全相同的供给体制。

功率半导体器件是电力电子技术的基础,也是电力电子技术发展的“龙头”。从1958年美国通用电气公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由功率半导体器件构成的变流器时代。功率半导体器件的发展经历了以下阶段:

下面我们细数一下国内大陆IC设计公司企业:

功率半导体器件种类众多。 功率半导体根据载流子类型可分为双极型与单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管、电力晶体管、晶闸管、 绝缘栅双极型晶体管等,单极型功率半导体包括功率 MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。按照材料类型可以分为传统的硅基功率半导体器件以及宽禁带材料功率半导体器件。传统功率半导体器件基于硅基制造,而采用第三代半导体材料具有宽禁带特性,是新兴的半导体材料。

功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管、电力晶体管、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管等。单极型功率半导体包括功率MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。它们的工作电压和工作频率也有所不同。功率半导体器件广泛应用于消费电子、新能源交通、轨道交通、发电与配电等电力电子领域。

大功率二极管产生于20世纪40年代,是功率半导体器件中结构最简单、使用最广泛的一种器件。目前已形成整流二极管(Rectifier Diode)、快恢复二极管(Fast Recovery Diode—FRD)和肖特基二极管(Schottky Barrier Diode—SBD)等3种主要类型。

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功率半导体的器件分类

国际厂商制造水平较高,已经形成了较高的专业壁垒。我们预计在2022年全球功率半导体市场规模将达426亿美元。在2015年全球功率半导体市场中,英飞凌以12%的市场占有率排名第一。欧美日厂商凭借其技术和品牌优势,占据了全球功率半导体器件市场的70%。大陆、台湾地区主要集中在二极管、低压MOSFET等低端功率器件市场,IGBT、中高压MOSFET等高端器件市场主要由欧美日厂商占据。

晶闸管(Thyristor, or Silicon Controlled Rectifier—SCR)可以算作是第一代电力电子器件,它的出现使电力电子技术发生了根本性的变化。但它是一种无自关断能力的半控器件,应用中必须考虑关断方式问题,电路结构上必须设置关断电路,大大复杂了电路结构、增加了成本、限制了在频率较高的电力电子电路中的应用。此外晶闸管的开关频率也不高,难于实现变流装置的高频化。晶闸管的派生器件有逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等。

总部:深圳

功率半导体器件:二极管→晶闸管→硅基 MOSFET→硅基 IGBT。 功率二极管发明于20 世纪 50 年代, 起初用于工业和电力系统。 60-70 年代,以半控型晶闸管为代表的功率器件快速发展,晶闸管体积小、明显的节能功效引起广泛重视。 80 年代,晶闸管的电流容量已达 6000 安,阻断电压高达 6500 伏; 80 年代发展起来的硅基 MOSFET 工作频率达到兆赫级,同时功率器件正式进入电子应用时代。

我们看好功率半导体的国产代替空间。我国开展功率半导体的研究工作比较晚,且受到资金、技术及人才的限制,功率半导体产业整体呈现出数量偏少、企业规模偏小、技术水平偏低及产业布局分散的特点。原始创新问题成为阻碍国内功率半导体产业发展的重要因素。国际功率半导体厂商尚未形成专利和标准的垄断。相比国外厂商,国内厂商在服务客户需求和降低成本等方面具有竞争优势。我们认为,功率半导体的国产代替空间十分广阔。

20世纪70年代出现了称之为第二代的自关断器件,如门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO),大功率双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT, or Giant Transistor—GTR),功率场效应管(Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor—Power MOSFET)等。

官网:

功率器件的演进史

罗姆成立于1958年,是全球最知名的半导体厂商之一,总部设在日本京都市。1983年罗姆在大阪股票交易所上市,股票代码为6393。

20世纪80年代出现了以绝缘栅极双极型晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT, or IGT)为代表的第三代复合导电机构的场控半导体器件。

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硅基 IGBT 的出现实现了功率器件同时具备大功率化与高频化。二十一世纪前后,将功率器件与集成电路集中在同一个芯片中,功率器件集成化使器件功能趋于完整。

根据公司2018年财报,公司2018财年营收23.45亿元,同比增长12.81%,净利润2.2亿元,同比增长40.92%。15-18年公司净利率平均值为8.06%,ROE平均值为4.09%。公司的主要产品包括IC、分立半导体和模块等。公司收入结构中,ICs贡献主要收入,营收1.83亿日元,占比46.2%。其次为分立半导体,营收1.5亿日元,占比37.8%。

20世纪80年代后期,功率半导体器件的发展趋势为模块化、集成化,按照电力电子电路的各种拓朴结构,将多个相同的功率半导体器件或不同的功率半导体器件封装在一个模块中,这样可缩小器件体积、降低成本、提高可靠性。

主营:

不同功率半导体器件的特性

双沟槽SiC MOSFET是罗姆的代表性产品。为了进一步降低功耗,罗姆成为世界首个开发出双沟槽结构SiC MOSFET并实现量产的公司。罗姆通过其独特的双沟槽结构,提高了门级的强度,可以实现逆变器等电动汽车电力驱动系统的节能。与IGBT相比,罗姆新一代SiC MOSFET的开关损耗降低了73%。另外,罗姆还开发出了兼备业界顶级低传导损耗和高开关特性的650V耐压IGBT“RGTV系列”和“RGW系列”。

值得指出的是新的一代器件的出现并不意味着老的器件被淘汰,世界上SCR产量仍占全部功率半导体器件总数的一半,是目前高压、大电流装置中不可替代的元件。

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经历了那么多年的发展,衍生出了不同的半导体器件,而他们也都各自有各自的特性:

罗姆重点专注汽车和工业市场。消费电子是罗姆最大的应用市场,占总营收的57%。因此罗姆希望增加汽车等其它领域的投入。罗姆在汽车领域的重点是动力传动系统、车身、ADAS的模拟功率产品。在工业领域则重点发展工厂自动化、能源和基础设施。

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功率半导体器件的比较

今后,两家公司将以取得相关当局的必要认可为条件,共同实施面向转让的准备。关于移管日程的详情今后会进行商讨。罗姆表示今后将以汽车、机械产业市场为首的领域持续扩大市场,扩大双极晶体管、电路保护用的齐纳二极管、TVS二极管等事业。为此,罗姆将积极投入所有的经营资源,努力强化产品质量,进一步提高稳定的供应体制。这次从松下手中接手半导体事业,是为进一步扩大市场份额。

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功率二极管: 最传统功率器件, 应用于工业、电子等领域

文章来源:集微网

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功率二极管是基础性功率器件,广泛应用于工业、电子等各个领域。功率二极管是一种具有两个电极装置的电子元件,只允许电流由单一方向流过,同时无法对导通电流进行控制,属于不可控型器件。 二极管主要用于整流、开关、稳压、限幅、续流、检波等。 根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

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整流二极管示意图

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硅基 MOSFET: 高频化器件,应用领域拓展至 4C

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硅基 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)简称金氧半场效晶体管,高频化运行,耐压能力有限。1960 年由贝尔实验室 Bell Lab.的 D. Kahng 和 Martin Atalla 首次实作成功, 制造成本低廉、 整合度高、 频率可以达到上 MHz, 广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管, 具体有开关电源、镇流器、通信电源等高频领域,应用领域由二 极管的工业、电子等拓展到了四个新的领域, 即 4C :Compute,Communication,Consumer,Car。

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功率 MOSFET 结构图

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硅基 IGBT:融合 BJT 和 MOSFET, 广泛应用于新能源汽车、光伏、轨道交通

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IGBT 集 BJT 与 MOSFET 优点于一身, 1988 年以来已进展至第六代产品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 即绝缘栅双极型晶体管,是由 BJT(双极型三极管)和 MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 IGBT 在开通过程中,大部分时间作为 MOSFET 运行,在断开期间, BJT 则增强 IGBT 的耐压性。自从 1988 年第一代 IGBT 产品问世以来,目前已经进展至第六代产品,性能方面有显著的提升,工艺线宽由 5 微米缩小至 0.3 微米,功率损耗则将为 1/3 左右,断态电压大幅提高近 10倍。

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IGBT=MOSFET+BJY 结构图

全高清

600-1200V 的 IGBT 需求量最大, 1200V 以上未来需求强劲。 从应用领域看, IGBT 广泛应用于新能源汽车、电机、新能源发电、轨道交通等领域;从电压结构看,电压在 600-1200V的 IGBT 需求量最大,占市场份额 68.2%, 1200V 以上的 IGBT 应用在高铁、动车、汽车电

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子及电力设备中, 伴随着轨道交通、再生能源、工业控制等行业市场在近几年内的高速成长,对更高电压应用的 IGBT 产品提出了强烈的需求

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2015 年全球 IGBT 市场应用结构

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IGBT 模块是新能源发电逆变器的关键器件。 太阳能电池阵列的直流输出电压经过电平转换和逆变器转变为交流电压,再经过低频滤波器得到 50Hz 的交流输出电压并入电网。逆变器是实现交流电转直流电的关键器件,而 IGBT 单元是逆变器和驱动电路的核心。选择IGBT 器件的基本准则是提高转换效率、降低系统散热片的尺寸、提高相同电路板上的电流密度。目前,市场上多家公司提供用于太阳能逆变器的功率器件,其中,包括 IR、英飞凌、ST、飞兆半导体、 Vishay、 Microsemi、东芝等公司。

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IGBT 广泛地应用于新能源汽车的控制系统,包括主逆变器、辅助HV/LV DC-DC、辅逆变器和电池充电器, 占整车成本近 10%, 占到充电桩成本的 20%。 在电动传动系统中,主逆变器负责控制电动机, 还用于捕获再生制动释放的能量并将此能量回馈给电池。辅助 HV-LV DC-DC 用于不同供电网络之间的能量转换,在电动汽车中系统辅助 HV-LVDC-DC 的作用是在低压子供电网和高压子供电网之间实现能量的双向流动。

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辅助逆变器主要负责控制除了主电动机以外的其余电动机。电池充电器的作用是实现汽车电池快速高效充电, 而 PFC 电路通过纠正电流和电压的相位差提高功率因素,实现高效充电。 跟据 Hitachi,车用逆变器中 IGBT 需要工作在 650-700V,开关频率为 5-12kHz, IGBT 的转化效率在 90%以上,最大可以达到 95%。

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英飞凌提供的混合动力汽车/电动汽车功率器件应用方案

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IGBT 是动车、高铁等动力转换的核心器件, 占动车总成本的 1.25%左右。 和谐号 CRH3列车的牵引变流器将超高电流转化为强大的动力,运营时速达 350 公里/小时,每辆列车共装有 4 台变流器,每台变流器搭载了 32 个 IGBT 模块, 每个 IGBT 模块含 6 块 DCB,每块DCB 含有 4 个 IGBT 新芯片和 2 个二极管芯片,每个模块标称电流 600 安,可承受 6500伏高的电压。

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总的来说,一辆 8 节编组动车上的 128 个 IGBT 模块为整个列车提供了 10 兆瓦的功率。 据中车株洲所报道,一个 IGBT 模块就高达一万多元,一辆 CRH3C 出厂价大约1.6 亿, IGBT 模块占动车总成本的 1.25%左右。 高铁电力机车需要 500 个 IGBT 模块,动车组需要超过 100 个 IGBT 模块,一节地铁需要 50~80 个 IGBT 模块, 每年中国高铁国外采购的 IGBT 模块数量达十万个以上, 金额超过 12 亿元人民币。

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高铁动力结构图

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步入第三代, SiC、 GaN 等有望占领高端应用

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目前 Si 材料仍占主流,占据 95%以上半导体器件和 99%集成电路。 根据功率分立器件所使用的材料可分为三代。将硅、锗元素半导体材料称为第一代半导体材料;第二代半导体材料包括砷化镓(GaAs)等化合物半导体材料、 GaAsAl 等三元化合物半导体、 Ge-Si 等固溶体半导体、 非晶硅等玻璃半导体以及酞菁等有机半导体; 第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。由于产业工艺成熟及生产成本低, 95%以上的的半导体器件和 99%以上的集成电路是用硅材料制作的,硅仍然是半导体材料的主体。

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功率半导体硅基元器件、砷化镓元器件、 碳化硅元器件

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相对于 Si 器件, SiC 功率器件具有三大优势:

2、紫光集团(紫光集团芯产业包含紫光展锐、紫光国芯、长江存储;紫光集团云产业包含紫光股份有限公司、新华三集团、紫光西部数据有限公司)

第一,高压特性。 SiC 器件是同等 Si 器件耐压的 10 倍,碳化硅肖特基管耐压可达 2400V,碳化硅场效应管耐压可达数万伏,且通态电阻并不很大。

总部:北京

第二,高频、高效特性。 SiC 器件的工作频率一般是 Si 器件的 10 倍。 在PFC 电路中,使用碳化硅可使电路工作在 300kHz 以上,效率基本保持不变,而使用硅 FRD的电路在 100kHz 以上的效率急剧下降。随着工作频率的提高,电感等无源原件的体积相应减小,整个电路板的体积可下降 30%以上。

官网:

第三, 耐高温、低损耗特性。 碳化硅芯片可在600℃下工作,而一般的 Si 器件最多到 150℃。 SiC 功率器件的能量损耗只有 Si 器件的功率50%左右, 发热量也约为 Si 器件的 50%。

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Si/SiC/GaN 适用频率和功率

紫光展锐

SiC 材料已在多个电力电子系统开始应用。 首先推出的是 SiC 肖特基二极管,具有零反向回复电流,非常适合功率因数校正领域,将取代 Si 的 PiN 整流二极管。其次推出的碳化硅 MOSFET, 有望取代太阳能逆变器中的高压硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)。除了比 IGBT降低 50%的能耗外,碳化硅 MOSFET 无需特殊的驱动电路,且工作频率更高,这让设计人员能够尽可能减少电源元器件数量,降低电源成本和尺寸,并提高能效。

展讯(Spreadtrum)(收购了锐迪科(RDA))

SiC功率器件的应用时间表

总部:上海

碳化硅为代表的宽禁带半导体功率器件具有更高的电压等级、更高的开关速度、更高的结温、更低的开关损耗等优势,将会在不间断电源、交流电机驱动器、新能源汽车等领域得到广泛应用。 根据第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的产业发展报告, 截至 2018 年 1 月,有 30多家半导体厂商推出共 677 个品类 SiC 或 GaN 电力电子器件及模块,供应数量和品类均实现较大增长。

官网:

采用不同半导体材料的 ROHM 逆变器产品比较

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高昂成本是 SiC 推广最大障碍, 单价可达硅器件的 5~6 倍。 据 ROHM 半导体资料,目前同一规格的产品,碳化硅器件的价格是原有硅器件的 5~6 倍。极大阻碍了碳化硅功率器件的应用推广, 2014 年全球硅功率器件市场规模大约为 100 亿美元左右,但是碳化硅功率器件市场则仅有 1.2 亿美元。碳化硅功率器件市场渗透率不到硅功率器件的 1/500。对于耐压1200V 的应用, 由于成本相当而性能更出众,碳化硅晶体管已经具备竞争优势。

主营:

SiC 功率器件价格高于 Si 器件

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碳化硅二极管: 损耗低耐温高,有望抢占硅快恢复二极管 部分市场

手机芯片组

SiC 肖特基二极管能动态性能优越。 肖特基二极管(SBD)是通过金属与 N 型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属-半导体器件。肖特基二极管的基本结构是重掺杂的 N 型 4H-SiC 片、 4H-SiC 外延层、肖基触层和欧姆接触层。

调制解调器/基带

SiC 肖特基二极管做为单子器件,它的工作过程中没有电荷储存,其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比 Si 超快恢复二极管要低一到两个数量级。和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少,因此提高电路的开关频率。在常温下,其正态导通压降和 Si 超快恢复器件基本相同,但是由于SiC 肖特基二极管的导通电阻具有正温度系数,这将有利于将多个 SiC 肖特基二极管并联。

能源管理

碳化硅肖特基二极管与硅 FRD 比较

多媒体

肖特基二极管主要用在 600-1200V 的应用领域,目前主要用以替代硅快恢复二极管(FRD)。 碳化硅肖特基二极管可广泛应用于中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。在 PFC 电路中用碳化硅 SBD 取代原来的硅 FRD,可使电路工作在 300khz以上,效率基本保持不变,而相比下使用硅 FRD 的电路在 100khz 以上的效率急剧下降。一些国家和地区对光伏微型逆变器入网有效率限制,大致为95%左右,这就使得 SiC-SBD 成为必须的选择。

连接

新能源汽车对小型轻量化的要求迫切,所以普遍地采用 SiC-SBD。 目前 Cree 公司、 Microsemi 公司、 Infineon 公司、 Rohm 公司的SiC 肖特基二极管用于变频或逆变装置中替换硅基快恢复二极管,显著提高了工作频率和整机效率。中低压 SiC 肖特基二极管目前已经在高端通讯开关电源、光伏并网逆变器领域上产生较大的影响。

锐迪科微电子(RDA)

SiC 二极管电压分布及其供应商

总部:上海

碳化硅 MOSFET:高频高效,将在高端领域有效替代硅基 IGBT

官网:

碳化硅 MOSFET 优势明显, 频率高+损耗低+高温稳定性好。 20 世纪 90 年代以来,碳化硅(silicon carbide, SiC)MOSFET 技术的迅速发展,引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注。 与相同功率等级的 Si MOSFET 相比, SiC MOSFET 导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。但由于SiC MOSFET 的价格相当昂贵,限制了它的广泛应用。

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碳化硅 MOSFET 和硅基 MOSFET 比较

主营:

相比硅功率器件,碳化硅 MOSFET 在工作频率和效率上具有巨大优势。 硅 IGBT 在一般情况下只能工作在 20khz 以下的频率。由于受到材料的限制,高压高频的硅器件无法实现。碳化硅 MOSFET 不仅适合于从 600V 到 10kV 的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 在开关电路中不存在电流拖尾的情况,具有更低的开关损耗和更好的工作频率。 20kHz 的碳化硅 MOSFET 模块的损耗可以比 3kHz 的硅IGBT 模块低一半, 50A 的碳化硅模块就可以替换 150A 的硅模块。

蜂窝产品

碳化硅 MOSFET 主要用于 1200V 应用领域,取代目标是硅基 IGBT。 据 Yole,全球不同供应商的 SiC MOSFET 开发集中在 1200V,应用重点在于光伏逆变器、不间断电源或充电/储能系统等应用的系统性能提升以及工业变频器等。 碳化硅的 MOSFET 有望取代太阳能逆变器中的高压硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)。除了比 IGBT 降低 50%的能耗外,碳化硅MOSFET 无需特殊的驱动电路,且工作频率更高,这让设计人员能够尽可能减少电源元器件数量,降低电源成本和尺寸,并提高能效。

GSM功率放大器和开关模块(IPD)

不同供应商的 SiC MOSFET 开发活动的状况

多频段多模前端模块

新能源汽车推动,功率器件市场达 160 亿美元

GSM功放模块

功率器件和功率 IC 平分功率半导体市场,器件规模达 160 亿美元。 据 IHS 数据, 2016年全球功率半导体(功率器件、功率模块、功率 IC、其他)市场销售额从 2015 年的 339 亿美元增长了 3.5%达到 351 亿美元,其中, 功率 IC 增长 2.1%,功率分立器件增长 5.9%,功率模块增长 3.5%。

TD-SCDMA / GSM / EDGE功率放大器模块

全球功率器件市场规模

TD-SCDMA / GSM双模收发器

其中功率模块+器件中,功率二极管、 IGBT、 MOSFET 占据较大份额,MOSFET 市场规模达 62 亿美元,占功率器件比例为 39%,功率二极管/IGBT 分别占 33/27%。

WCDMA / GSM / EDGE功率放大器模块

功率半导体市场结构

智能手机基带

中低端功率器件供不应求,交货周期延长、价格上涨。 根据 TTBank 统计, MOSFET、整流管和晶闸管的交货周期一般是 8 周左右,从 2016 年下半年开始, 交期已被拉长到 24至 30 周。 由于上游原材料短缺、涨价以及 8 英寸产线上功率器件产能被挤占,二极管大厂因火灾关停,中低压 MOSFET 大厂转单,下游 HEV 48V 混动系统带来增量预计达 680 亿元, 导致中低端功率器件供不应求,价格持续走高。 2017 年 9 月 1 日,长电科技发出通知,将公司所有的 MOSFET 价格上调 20%。 2017 年下半年,无锡新洁能发布通知, 决定从 2018年元旦起对 MOSFET 各系产品执行 2018 年价格,据估计涨价幅度在 10%左右。

功能手机基带

功率器件交货普遍延长

CDMA / WCDMA / LTE功率放大器模块

受益于汽车、工业终端市场,功率 IC 市场稳定增长。 根据 Yole Development 数据,得益于多个关键终端市场的发展,功率 IC 将在 2016-2022 年实现 CAGR=3.6%的增长率。 终端市场主要分为 5 大方面:汽车、计算、通信、消费电子和工业应用。 根据 IHS, 2016 年全球功率 IC 市场营收达 192 亿美元,同比+2.1%。其中汽车与工业是功率 IC 增长的推动力,从汽车来看,功率 IC 增长的关键单车中电子与半导体零部件使用量大幅增加。据统计, 在传统汽车里,平均每辆汽车的半导体成本大约 320 美元,其中功率元器件占 26%。在混合电动汽车中,每辆车的半导体成本大约 690 美元,功率元器件占比高达 75%,在纯电动汽车中,半导体成本大约 700 美元,功率元器件占 55%。

射频开关

功率IC市场规模预测

GSM / EDGE功率放大器模块

下游汽车和消费电子驱动, MOSFET 仍然是功率半导体器件主战场。 据 Yole, 2016 年MOSFET 市场收入接近 62 亿美元。随着汽车和工业销售的稳步增长, 2016 年整体硅功率MOSFET 市场规模超过 2014 年的表现, 预计未来 5 年 CAGR 达 3.4%,至 2022 年 75 亿美元市场规模。 Allied market research 预测,未来消费电子和汽车电子将会是 MOSFET 增长的主要驱动力, 两者对 MOSFET 需求占比超 50%, 逆变器与 UPS 为第二驱动力,而能源与电力与其他应用对 MOSFET 的需求将会保持平稳。

GSM / EDGE收发器

全球 MOSFET 市场规模预测

SCDMA收发器

IGBT 快速发展,增速主要来自 IGBT 功率模块。 据博思数据, 2016 年全球 IGBT 市场规模达到 42.9 亿美元。 中国 IGBT 市场规模从 2008 年的 38.7 亿元上涨到 2016 年的 105.4亿元,年复合增长率达到 13.3%,而近三年则超过了 15%,显著高于全球 IGBT 市场 10%的增长速度。 预计到 2022 年,全球 IGBT 市场规模将超过 50 亿美元,增长将主要来自 IGBT功率模组。虽然以 SiC 和 GaN 为代表的第三代功率半导体的出现导致 IGBT 功率模块的份额略有降低,然而在短期内,其霸主地位不可撼动。 根据 Yole,到 2020 年, IGBT 模块占功率模块份额仍然达到 73.7%,其中光伏和纯电动汽车/混合动力汽车两大应用领域占比超过三分之二,在这两大市场驱动下,IGBT 功率模组市场年增速达 15%。

PHS收发器

全球 IGBT 市场规模预测

TD-SCDMA收发器

SiC 功率器件市场快速发展, SiC 二极管占比最大。 据 Yole, 包括 SiC 二极管、晶体管和模块在内的 SiC 功率市场将从 2015 年的 2 亿美元上涨到 2020 年 8 亿美元, 5 年 CAGR达 39%, 其中 SiC 二极管目前仍是主流,市场占比达到 85%。细分下游方面, 太阳能电源转换器,交流电机驱动器,纯电动汽车/混合动力汽车,功率因素校正四大应用领域占比超过三分之二。其中,纯电动汽车/混合动力汽车市场和太阳能电源转换器将会是主要细分市场。

3G交换模块

SiC 器件各应用领域十年期市场预测

GPS低噪声放大器

竞争格局分析:欧美日厂商领先高端产品线

Wifi前端模块

纵观整个功率器件市场,整体态势是欧美日厂商三足鼎立。 其中美国功率器件处于世界领先地位,拥有一批具有全球影响力的厂商,例如 TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和 Vishay 等厂商。欧洲拥有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半导体大厂。日本主要有 Toshiba、 Renesas、 Rohm、 Matsushita、Fuji Electric 等。中国台湾拥有富鼎先进、茂达、安茂、致新和沛亨等一批厂商。中国大陆拥有吉林华微电子、苏州固锝电子、无锡华润华晶微电子、扬州扬杰电子等一批厂商。

物联网产品

功率半导体器件细分领域多, 行业整体增速较缓,大厂倾向于业内并购,通过布局新领域实现增长。 2016 年英飞凌科技成为全球功率半导体的主要供应商,其在 2015 年初收购美国国际整流器公司后,英飞凌超过三菱电机成为领先的功率模块制造商。 德州仪器在 2015 年被英飞凌超越后,于 2016年退居全球第二。 安森美完成对飞兆半导体的收购后,市场排名升至第三位,其在功率分立器件市场份额跃升 10%。 2016 年建广资本以 27.5 亿美元并购了 NXP 的标准器件部门,中国企业首次进入行业全球前十强。

MCU蓝牙

2016 年功率半导体市场份额

HCI蓝牙

国内功率半导体器件市场规模大,产业仍处于起步阶段。 据赛迪顾问, 2016 年, 中国功率半导体市场规模达到了 1496 亿元, 占据了全球 40%以上的市场。 然而供应链仍然被国外厂商所垄断, 国内企业相对而言规模较小、技术落后、品类不全,产业仍然处于起步和加速追赶的阶段。 国内功率半导体企业排名第一的吉林华微, 2016 年营收为 13.95 亿元,净利润仅为 4060 万元。而全球行业老大英飞凌 2016 集团营收高达 64.73 亿欧元, 中国龙头企业和行业龙头的差距在 30 倍以上。

MCU WIFI

中国功率半导体龙头企业与全球功率半导体龙头企业营收对比

GPRS M2M

政策、资金、技术齐发力, 国内厂商发展潜力巨大。 功率半导体在军事等战略性领域起着关键性作用,是关系着高铁动力系统、汽车动力系统、消费及通讯电子系统等领域能否实现自主可控的核心零部件,战略地位突出,国内全方位推动行业发展。 政策上,国家持续推动行业发展, 国务院发布《中国制造 2025》强国战略, 明确提出将先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、高档数控机床和机器人等列为突破发展的十大重点领域。 资金上, 功率半导体采用特色工艺,不追求先进制程,资金投入仅为集成电路的 1/10,国家大基金、地方政府基金必将鼎力支持。 技术上,国内企业具备低端领域全面实现国产化能力,同时向中高端进军, 以南车、比亚迪为代表的厂商已实现技术突破,成功实现国产化 IGBT 在高铁和新能源汽车中的应用。

FM接收器

2016 年中国半导体功率器件十大企业排行榜

调频发射器

国际市场格局趋稳定,国内企业在功率 IC 领域获突破。 据 Yole, 功率 IC 市场竞争格局成熟,供应链较为完善。 美国在功率 IC 领域具有绝对领先优势,欧洲在功率 IC 和功率分立器件方面也都具有较强实力, 日本在功率 IC 芯片方面,虽然厂商数量众多,但整体市场份额不高。 功率 IC 下游核心产品—电源 IC, Dialog、 Qualcomm 以及 Maxim 三家主要供应商以遥遥领先的市占率主宰了智能手机市场。 2016 年建广资本 27.5 亿美元收购 NXP 标准部门完成交割,力图填补国内汽车、工业 IC 领域空白。

广播产品

2016 年功率 IC 市场份额

调频收音机

功率二极管: 技术门槛较低, 国内厂商具有竞争力

DVB-S / S2卫星调谐器

市场相对分散, 国内厂商具竞争力,进口替代空间大。 国际最大厂商是 Vishay,占据11.71%市场份额,而后第二至第七大厂商市场份额为 5%-8%,与第一相差无几,再在其后厂商市场份额不足 5%,市场相对分散。其中国内厂商扬杰科技市场份额为 2.01%。功率二极管技术成熟、市场进入门槛低, 注重的是生产过程的控制和成本的控制。国内厂商由于生产工艺控制精湛、人力成本低具有一定竞争力,国产替代空间较大。 根据工信部发布的中国电子信息产业统计年鉴, 自 2014 年后, 中国二极管及类似半导体器件出口数量持续超过进口额。

模拟移动电视接收器片上系统

中国二极管及类似半导体器件进出口情况

CMMB SOC

国际大厂退出,国内具有价格优势。 功率二极管门槛低、毛利小,国际大厂逐渐退出功率二极管市场,全球功率二极管生产重心可望逐渐转移至中国大陆与中国台湾地区。由于大陆人工成本低、政策扶持半导体行业发展,在低价位二极管上占据着优势,而目前国产二极管领先企业扬杰科技仅占据全球市场份额的 2.01%,未来有望持续替代进口,并抢占市场。而台湾二极管厂商以生产表面粘著型及其他高附加值产品为主,并朝着肖特基性、突波抑制器、静电保护原件及晶闸管等领域发展。

LNB卫星下变频器

2015 年功率二极管龙头、台商与扬杰科技市占率

FM无线电接收器和发射器

硅基 MOSFETIGBT:国内厂商迎头赶上,进口替代正当时

AM / FM无线电接收器

硅基 MOSFET: 国内厂商潜力大,进口替代正当时。国内厂商主要集中在低压 MOSFET领域,中高压 MOSFET 主要被国外厂商占据。据 IHS,国内功率 MOSFET 市场主要厂商是英飞凌, 2016 年市场份额达 28.5%,与位于第二的安森美半导体占据了国内将近一半市场。国内厂商只有士兰微和吉林华微上榜,分别占据了 1.9%和 1.1%的市场份额,进口替代的空间巨大。

电视调谐器

2016 年中国功率 MOSFET 主要厂商市场份额

机顶盒调谐器

资本助力,向汽车电子等中高端市场迈进。 2016 年, 建广资本以 27.5 亿元收购恩智浦半导体标准产品业务部门, 成立一家名为 Nexperia 的独立公司。

紫光国芯(旗下产业:紫光同芯微电子/深圳国微/西安紫光国芯/紫光同创/无锡紫光微电子/唐山国芯晶源)

Nexperia 承接了 NXP 中 MOSFET 所有业务,一跃成为 MOSFET 领域全球第十、国内第八的厂商。 NXP 是工业与汽车半导体领域大厂商, 相比之下,工业和汽车半导体一直是中国半导体企业的弱项,由于这个领域的产品门类多、单量小、售价高、迭代慢,国内企业很难进入。 Nexperia 的成立弥补了国内厂商在这一领域的短板。此外, 2016年建广资本还与 NXP 成立合资公司瑞能半导体,产品主要为二极管、双极性晶体管、可控硅整流器, 以及收购 NXP RF Power 部门,成立安谱隆公司致力于射频技术领域的创新与研发。

股票代码:002049

2016 年全球汽车半导体市场份额

总部:北京

Nexperia 有望成国内 MOSFET 新龙头。Nexperia 是世界一流标准产品的首选生产商、供应商, 专注于逻辑、分立器件和 MOSFET 市场,拥有恩智浦半导体的设计部门, 以及位于英国和德国的两座晶圆制造工厂、位于中国、马来西亚、菲律宾的三座封测厂和位于荷兰的恩智浦工业技术设备中心。 每年量产 850 亿个功率器件,产品面向工业和汽车半导体领域,客户数量超 2 万家,2015 年在车用半导体市占率为 15%,在物联网关键的微处理器领域,市占率全球第 2。 2015 年 SP 业务部门收入约为 12.4 亿美元,税前利润超 2 亿美元。

官网:

Nexperia、华微电子营收

金沙澳门官网 7

硅基 IGBT: 海外厂商优势明显, CR4 高达 70.8%。 据 IHS, 2016 年, 英飞凌、 三菱电机、 富士电机(Fuji Electric)、 德国赛米控(SEMIKRON)四大海外供应商占了全球 IGBT 市场的 70.8%。尽管中国功率半导体市场占世界市场的 40%以上,但在 IGBT 主流器件上, 90%主要依赖进口,目前仅在大功率轨道交通领域实现国产化,2016年国厂嘉兴斯达、中国中车市占率分别为1.6/ 0.6%。

主营:

2016 年 IGBT 全球供应商市场份额

智能卡安全芯片

高压 IGBT:技术突破, 中国中车立足高铁用 IGBT。 北车在 IGBT 模块封装上与 ABB技术合作,建设高功率模块生产线,成为国内首家能够封装 6500V 大功率模块及解决方案的提供商。南车则在海外收购 Dynex 公司建立 IGBT 芯片设计中心,总投资 14 亿元建设国内首条八英寸 IGBT 芯片生产线,除芯片外,还有 9 条满足不同行业的 IGBT 模块生产线,预计完全投产后,中车将年产 12 万片 8 英寸 IGBT 芯片和 100 万只 IGBT 模块。

接触式CPU卡芯片

国内 IGBT 主要厂商营收

双界面CPU卡芯片

中高压 IGBT:群雄逐鹿,嘉兴斯达技术领先。 嘉兴斯达已成功开发近 600 种 IGBT 模块产品,电压等级涵盖 100V~3300V,电流等级涵盖 10A~3600A,实现了 IGBT 模块的产业化。 据 IHS, 2016 年嘉兴斯达在 IGBT 模块领域的市场占有率排全球第 11 位,在国厂中排名首位, 是国内 IGBT 领先的厂家。 上海先进是国内首家获得欧洲汽车电子 VDA6.3(A 级)资质的公司,也是国内最大的汽车电子芯片以及 IGBT 芯片制造商, 累计生产 IGBT 芯片 70多万片。 华微电子已研发成功第六代 IGBT 产品,士兰微则已具备 IGBT 6 英寸产线投产能力,产能在 12000--15000 片/月。

智能终端安全芯片

国内 IGBT 主要厂商

读写器芯片

第三代半导体材料功率器件:国外技术领先,国内正起步

USB-KEY芯片

海外公司技术领先, 国内起步时间晚, 尚在追赶。 SiC 关键技术由海外公司垄断,从产业链来看,上游部分, CREE 公司独占 SiC 晶元制造市场份额 60%以上;中游部分,英飞凌、 CREE、意法半导体和安森美等功率半导体领域国际排名前十的企业合计已在 SiC 功率器件市场占据 50%以上份额。 相比于美国 CREE 公司于 2003 年推出 SiC 产品, 国内公司起步晚,技术相对落后。直到 2015 年初,泰科天润才首次实现了碳化硅肖特基二极管的量产,目前国内 SiC 产业规模于国外相比尚有较大差距。

mPOS芯片

SiC 功率器件产业链主要公司

特种集成电路

国家政策加码,战略性项目部署,着力弯道超车。 国家和各地方政府陆续推出政策发展第三代半导体相关产业,福建、广东、江苏、北京、青海等 27 个地区出台第三代半导体相关政策(不包括 LED)近 30 条。 2016 年我国启动了“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项的组织实施工作,第三代半导体材料与半导体照明作为重点专项中最重要的研究领域,得到了国家层面的重点支持,以全链条部署、一体化实施的组织模式部署了 11 个研究方向,并在 2016 年和 2017 年分两批启动。

SOC芯片

国内投资热潮持续,产业链进一步完善。 2016 年全国公示的 SiC 半导体相关项目达 17项,总投资金额近 178 亿元,共涉及投资主体企业 17 家。从投产时间来看,绝大部分 SiC项目尚在建设中,加上设备调试和技术磨合时间,预计投产时间将在 2018 年及以后。从 SiC半导体投资的构成来看, SiC 材料相关投资项目 7 个,投资额约 62.3 亿元,其中江西德义半导体科技有限公司投资规模为 30 亿元,占 48.2%。 SiC 裸片及分立器件相关项目 4 个, 投资额约 66.6 亿元。 2017 年国内投资扩产热度持续,项目共计 10 起,总投资金额达到 700 亿元,其中投向 SiC 材料项目共 3 个, GaN 材料项目共 3 个,其他以宽禁带半导体或化合物半导体名义投资的项目共 5 起。

定制芯片

SiC 材料、 器件齐发力,国内竞争格局初显。 SiC 材料是国内 SiC产业链中较为成熟的环节。天科合达等厂商已经实现了 SiC 单晶的商业化量产。瀚天天成、新乡神舟科技、 东莞天域等厂商已经掌握了 SiC 外延片量产的核心技术。 在需求驱动下, 随着资本投入和技术发展, 国内不断涌现出掌握 SiC 器件核心技术的公司。 泰科天润拥有完整的碳化硅功率器件量产生产线可以进行芯片代工服务; 2014 年实现了 600V-3300V/ 1A-100A 碳 化 硅 肖 特 基 二 级 管 量 产 。 华 天 恒 芯 已 经 具 备 量 产650V/ 1200V/ 1700V SiC 肖特基二极管的能力。 嘉兴思达、扬杰科技、三安光电等公司也在积极布局 SiC 功率器件。

存储器芯片

对于中国功率器件产业来说,任重而道远。

DRAM芯片

ECC DRAM芯片

DRAM模组

NAND FLASH芯片

可编程系统芯片

Titan系列FPGA

Logos系列FPGA

Compact系列CPLD

半导体功率器件

MOSFET

IGBT

IGTO

石英晶体频率器件

石英晶体谐振器

石英晶体振荡器

高端频率器件

LED衬底蓝宝石材料

紫光同芯微电子有限公司

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 8

主营:

智能卡安全芯片

接触式CPU卡芯片

双界面CPU卡芯片

智能终端安全芯片

读写器芯片

USB-KEY芯片

mPOS芯片

深圳市国微电子有限公司

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 9

主营:

深圳市国微电子有限公司成立于1993年,是首家启动的国家“909”工程的集成电路设计公司。主要从事特种集成电路研发、生产与销售。产品涵盖高性能微处理器、高性能可编程器件、存储类器件、总线器件、接口驱动器件、电源芯片六大系列,同时可以为用户提供ASIC/SOC设计开发服务及国产化系统芯片级解决方案。2012年底完成与上市公司紫光国芯微电子股份有限公司(股票代码:002049)重组工作,成为紫光国微的全资子公司。

西安紫光国芯半导体有限公司

总部:西安

官网:

金沙澳门官网 10

主营:

存储器芯片

DRAM芯片

ECC DRAM芯片

DRAM模组

NAND FLASH芯片

深圳市紫光同创电子有限公司

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 11

主营:

可编程系统芯片

Titan系列FPGA

Logos系列FPGA

Compact系列CPLD

无锡紫光微电子有限公司

总部:无锡

官网:

金沙澳门官网 12

主营:

半导体功率器件

MOSFET

IGBT

IGTO

唐山国芯晶源电子有限公司

总部:唐山

官网:

金沙澳门官网 13

主营:

石英晶体频率器件

石英晶体谐振器

石英晶体振荡器

高端频率器件

LED衬底蓝宝石材料

长江存储科技有限责任公司

总部:武汉

官网:

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主营:

存储

3、华大半导体有限公司(主要旗下成员有上海贝岭、晶门科技、华大科技(华大电子)、安路科技、南京微盟等IC设计公司)

总部:上海

官网:

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主营:

智能卡及安全芯片

MCU

RFID

模拟电路

通用模拟电路

专用模拟电路

电源管理芯片

功率器件

新型显示芯片

华大科技(北京中电华大电子设计有限责任公司)

股票代码:00085.HKSE

总部:北京

官网:

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主营:

智能卡芯片

超低功耗MCU

Wi-Fi 芯片

上海贝岭

股票代码:600171

总部:上海

官网:

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主营:

电源管理电路

AC/DC转换器电路

电能计量电路

LED驱动电路

接口电路

ADC电路

MCU电路

EEPROM存储器电路

MOSFET及分立器件

烟雾检测电路

南京微盟

总部:南京

官网:

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主营:

AC-DC产品

AC/DC配套转换芯片

LDO产品

DC-DC产品

LED驱动

锂电池芯片

数模混合产品

MOSFET

功放运放

电荷泵

电压检测

限流开关

晶门科技

股票代码:HK02878

总部:香港

官网:

金沙澳门官网 19

主营:

OLED显示驱动器IC

点阵双稳态显示驱动IC

分段双稳态显示驱动IC

OLED照明驱动器IC

移动触控

On-Cell及Out-Cell触控IC

大型显示

源显示驱动器IC

栅显示驱动器IC

移动驱动器

TFT显示驱动器IC

内嵌式触控显示驱动器IC (TDDI)

STN显示驱动器IC

移动接口

MIPI桥接IC

显示控制器IC

安路科技

总部:上海

官网:

金沙澳门官网 20

主营:

可编程逻辑器件(FPGA)

可编程系统级芯片(SOC)

定制化可编程芯片

4、北京君正

股票代码:300223

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 21

主营:

智能物联

X1000/E

JZ4775

智能视频

T01

T30

T20

T10

智能穿戴

M200S

金沙澳门官网,M200

CPU技术

XBurst CPU

5、豪威科技

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 22

主营:

图像传感器

超过1300万像素

8-13百万像素

2-5百万像素

100万像素及以下

ASIC

汽车配套芯片

传感器桥

物联网处理器

CameraCubeChip

720P

VGA

400×400

LCOS

面板

面板驱动程序

6、思比科

股票代码:833220

总部:北京

官网:

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主营:

图像传感器

7、敦泰电子

股票代码:3545.TW

官网:

金沙澳门官网 24

主营:

触控显示整合单芯片方案(IDC)芯片

指纹识别芯片

电容式指纹识别方案

光学式指纹方案

显示驱动芯片

智能手机应用

平板与笔记本电脑应用

车载工控与穿戴式应用

触控芯片

On-cell(LDC/AMOLED)方案

互容方案

自容方案

压力触控方案

8、士兰微电子

股票代码:600460

总部:杭州

官网:

主营:

MCU电路

电源管理电路

LED照明驱动电路

功率驱动模块

音响系统电路

数字音视频(含CD音响)电路

消费类专用电路

MEMS传感器

计量类电路

半导体分立器件芯片

半导体分立器件成品

9、大唐电信

股票代码:600198

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 25

主营:

智能终端芯片

LTE SoC智能手机芯片LC1860

LTE SoC平板电脑芯片LC1960

LTE四模终端芯片LC1761

四核智能手机芯片LC1813

TD四核通信平板芯片

TD双核智能终端芯片LC1810

TD双核智能终端芯片LC1811

10、国民技术

股票代码:300077

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 26

主营:

网络身份认证

网上银行身份认证

移动网银身份认证

VeriCard 蓝牙SIM卡

金融与支付

RCC移动支付

金融IC卡芯片

mPOS支付终端芯片

政务民生

社会保障卡芯片

居民健康卡芯片

电子工商执照芯片

物联网与云计算

可信计算

LoRa

智能门锁

11、瑞芯微

总部:福州

官网:

金沙澳门官网 27

主营:

新兴领域方案

虚拟现实

无人机

车载产品解决方案

智能中控

行车记录仪

平板电脑解决方案

智能电视解决方案

电视棒

智能机顶盒

IPTV机顶盒

电子书解决方案

电子书

无线音频解决方案

无线音频

12、全志科技

股票代码:300458

总部:珠海

官网:

金沙澳门官网 28

主营:

智能硬件

智能音箱

机器人

消费电子

虚拟现实

二合一本

平板电脑

电子书

看戏机

运动相机

故事机

家庭娱乐

OTT盒子

卡拉OK

车联网应用

行车记录仪

智能后视镜

智能中控

商业/工控

数字标牌

13、兆易创新

股票代码:603986

总部:北京

官网:

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主营:

闪存

SPI NOR Flash

SPI NAND Flash

KGD存储器

微控制器

GD32 ARM Cortex-M3微控制器

GD32 ARM Cortex-M4微控制器

14、汇顶科技

股票代码:603160

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 30

主营:

生物识别产品线

屏下光学指纹识别技术

活体指纹识别方案

IFS指纹识别与触控一体化技术

盖板指纹识别方案

Coating指纹识别方案

人机交互产品线

智能手机

平板电脑

笔记本电脑

智能家居

智能家居/IoT/可穿戴

智能锁方案

可穿戴设备芯片

15、中星微电子

总部:北京

官网:

主营:

SVAC监控摄像头芯片

人工智能SVAC监控摄像头芯片

神经网络处理器

H.264 解压缩芯片

高清图像采集模块

PC摄像头芯片

16、森国科

总部:深圳

官网:

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主营:

DVR芯片

SGKS8611

GK8602B

GK8602A

ADAS芯片

SGKS6802X

360度Camera芯片

SGKS5703

AI芯片

SGKS8808

17、景嘉微电子

股票代码:300474

总部:长沙

官网:

金沙澳门官网 32

主营:

图形图像处理产品(GPU)

景美系列图形处理器(GPU)

MPPA众核处理器芯片

显示控制及单板计算机模块

信号处理模块

全向态势感知系统

无线通信产品

小型无人机群图传数据链

弹地图传数据链

机载图传数据链

小型雷达系统

微波射频模块

反无人机防御系统

分布式通信干扰机系统

装甲车辆主动防护系统

存储记录产品

大容量存储产品

高速数据(图像)记录仪

高速数据卸载回放设备

加固整机产品

加固整机产品

计算存储融合处理机

消费类芯片产品

全波段收音机芯片

BLE低功耗蓝牙芯片

Type-CPD控制芯片

MCU微控制器芯片

ADC/DAC芯片

18、中颖电子

股票代码:300327

总部:上海

官网:

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主营:

4BIT MCU

I/O 类

ADC 类

LCD 类

家电类

8 PIN 家电类

消费类

低电压类

红外遥控器类

8BIT MCU

家电/工控类

SH88系列

节能(ES) MCU

电表MCU

载波通信SOC

电机驱动

8 BIT MCU

16 BIT DSP

PH MCU

PS/2

USB

Wireless

锂电池管理与保护

锂电池管理单片机

锂电池电量监控SOC

锂电池保护SOC

OLED

OLED 驱动

OTHERS

4 Bit (SH67XX)

8 Bit (SH57XX)

RF Solution

IR Remote

32 Bit

19、盈方微

股票代码:000670

总部:上海

官网:

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主营:

影像处理器

Q35

Q34

Q3S

C20

C23

应用处理器

iMAPx210

iMAPx820

iMAPx15

iMAPx912

其它芯片

OMAC300

OMAC200

20、三安光电

股票代码:600703

总部:厦门

官网:

金沙澳门官网 35

主营:

LED芯片

蓝宝石衬底

集成电路

砷化镓(GaAs)高速半导体芯片

HBT (砷化镓异质结双极型晶体管)

pHEMT (砷化镓伪型态高电子迁移率晶体管)

GaN SBD(氮化镓肖特基二极管)

GaN FET(氮化镓场效应晶体管)

光通讯芯片

监控光电二极管(MPD)

光电二极管(PD)

雪崩光电二极管(APD)

21、高德红外

股票代码:002414

总部:武汉

官网:

金沙澳门官网 36

主营:

红外探测器

红外光学

机芯及模组

国防安全

执法搜救

温度测量

热像视觉

辅助驾驶

22、炬芯科技

总部:珠海

官网:

金沙澳门官网 37

主营:

蓝牙音频产品

蓝牙音箱

蓝牙运动耳机

WiFi音频产品

WiFi音箱

儿童机器人

多媒体音视频产品

MP4

MP3

便携式音箱

智能客厅产品

智能机顶盒

平板产品

平板电脑

虚拟现实产品

VR一体机

23、格科微

总部:上海

官网:

金沙澳门官网 38

主营:

图像传感器

LCD驱动芯片

24、复旦微

总部:上海

官网:

金沙澳门官网 39

主营:

安全与识别芯片

RFID与存储

智能与安全

NFC识别设备

智能电表

智能电表专用MCU

低功耗MCU

电力线载波

超高频多协议RFID读卡器

实时时钟芯片

非挥发存储器

EEPROM

SPI NOR Flash

SPI NAND Flash

NNVM

专用模拟电路

漏电保护器专用电路

A型漏电保护器专用电路

带过压、欠压漏电保护器专用电路

S型漏电保护器专用电路

电话机通话电路

照明汽摩电子电路

北斗导航

“领航一号”北斗基带处理电路芯片JFM7101

“领航二号”北斗基带处理电路芯片JFM7201

北斗实时时钟电路芯片JFM7202

25、杭州国芯

总部:杭州

官网:

金沙澳门官网 40

主营:

数字家庭

ABS-S 中国直播卫星数字电视解决方案

DTMB 中国地面数字电视解决方案

DVB-C 有线数字电视解决方案

DVB-S2/S 卫星数字电视解决方案

DVB-T2/T 地面数字电视解决方案

IPTV/OTT

IPTV/OTT 机顶盒解决方案

智能互联

智能音箱/玩具解决方案 GX8010

智能语音前端方案 GX8008

人脸识别YOC GX8001

26、中天微系统

总部:杭州

官网:

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主营:

CPU IP授权

高性能CPU

微控制CPU

SoC平台

智能语音SoC平台

高性能嵌入式计算SoC平台

低成本高能效MCU平台

27、思立微

总部:上海

官网:

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主营:

电容触控IC(手机、平板)

指纹识别IC

电磁触控解决方案

28、杰理科技

总部:珠海

官网:

金沙澳门官网 43

主营:

射频智能芯片

音响系列芯片

多媒体智能芯片

WIFI控制芯片

行车记录仪芯片

语音识别芯片

视频芯片产品

其他智能芯片

家用健康芯片

29、山景集成电路

总部:上海

官网:

金沙澳门官网 44

主营:

8051 HostMP3 控制芯片

DSP音效处理芯片

ARM Cortex-M3 Audio AP系列芯片

ARM Cortex-M3 MCU系列芯片

30、芯智汇

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 45

主营:

电源

电源管理单元

分立器件

音频

音频芯片

31、卓荣集团

总部:珠海

官网:

金沙澳门官网 46

主营:

Bluetooth

HIFI高端蓝牙音频主控芯片

低功耗蓝牙+MP3解码芯片

低功耗蓝牙耳机专用芯片

MP3

HIFI高端蓝牙音频主控芯片

最低成本的MP3解码芯片

Video

视频录像控制芯片

Wifi

WIFI视频录像控制芯片

MCU

8-bit RISC MCU

Mobile Storage

FLASH闪存控制器芯片

SD控制器芯片

IOT

低功耗蓝牙+MP3解码芯片

蓝牙双模应用芯片

BT4.2 BLE单模芯片

BT4.2 双模SOC芯片

32、汇春科技

股票代码:836399

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 47

主营:

麦肯MCU

MDT General flash MCU

MDT 51 Series MCU

MDT General OTP MCU

MDT LCD MCU

光电Sensor

触控IC

Touch MCU

标准触控IC

手势识别

Air Gesture

33、集创北方

总部:北京

官网:

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主营:

全尺寸面板驱动(LCD/AMOLED Driver)

触控(Touch)

指纹识别芯片

电源管理芯片(Power IC)

信号转换(Convertor)

时序控制(Timing Controller; TCON)

LED显示驱动及LED照明驱动

34、贝特莱

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 49

主营:

触控芯片

互电容

自电容

压力触控

健康传感

电极式传感

光电式

指纹识别

刮擦式

Coating

MCU

M3处理器

35、新岸线

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 50

主营:

智能平板解决方案

NuFront AP NS115

NuFront AP+BP SoC TL7689

NuFront AP+BP SoC TL7789

Nufront AP+BP SoC TL7791

NuFront RF SoC NR6651

NuFront PMU NP688

NuFront NCP6541

超高速无线通信网解决方案

Nufront EUHT NL6681

Nufront EUHT NL6682

Nufront EUHT NR6808

智能手机解决方案

NuFront AP+BP SoC TL7688

NuFront AP+BP SoC TL7788

Nufront AP+BP SoC TL7790

移动通讯解决方案

NuFront BP TL7619

NuFront BP TL7619C

物联网解决方案

NuFront Wi-Fi SoC NL6621

Nufront Bluetooth NL6623

NuFront CubeSense

36、乐鑫

总部:上海

官网:

金沙澳门官网 51

主营:

芯片

ESP32 芯片

ESP8266 / ESP8285 芯片

ESP8089 芯片

模组

ESP32 模组

ESP8266 模组

37、南方硅谷

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 52

主营:

2.4G RF

SSV7241——2.4 GHZ GFSK收发器

无线网络

SSV6051Z / SSV6051P

物联网解决方案

SSV6030P

38、联盛德

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 53

主营:

W600——新一代嵌入式 Wi-Fi SoC 芯片

W500——高集成度嵌入式Wi-Fi连接芯片

W510C1——高集成度嵌入式Wi-Fi安全芯片

W520M-高集成度嵌入式Wi-Fi语音芯片

39、昂宝电子

总部:上海

官网:

主营:

超低待机功耗产品系列

原边控制产品系列

准谐振模式控制芯片系列

中小功率的PWM控制芯片系列

中等功率PWM控制芯片系列

功率因素校正控制芯片系列

功率因素校正+准谐振组合控制器

照明和背光驱动芯片产品

LED照明驱动系列

LED背光驱动系列

CCFL背光驱动系列

MCU芯片产品

标准封装系列

低引脚封装系列

40、安凯微电子

总部:广州

官网:

金沙澳门官网 54

主营:

芯片系列

AK39EV300系列

AK10D系列

AK39E

AK37C系列

AK10T系列

MCU系列

AK10系列MCU

41、圣邦微

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 55

主营:

OPAMP&COMPARATOR

运算放大器

比较

音频/视频驱动程序

耳机驱动程序

音频驱动器

音频功率放大器

视频驱动程序

Click-Pop噪声抑制器

模拟开关

模拟开关

复杂开关

电源管理IC

低压降稳压器

DC / DC转换器

LED驱动器

负载开关

OVP IC

μP监控电路

锂离子电池充电器

MOSFET驱动器

LOGIC IC

小型逻辑系列

42、芯朋微电子

总部:无锡

官网:

金沙澳门官网 56

主营:

LV产品线

DC-DC(Boost)

DC-DC(Buck)

Car Charger IC

LED Backlight

Battery Charger

Current Limiter

Reset&Detect

High Power White LED

HV产品线

AC-DC(SSR)

AC-DC(PSR)

AC-DC(SR)

AC-DC(Non-isolated)

LED Lighting

Half-Bridge Driver

Display Driver

Others

43、易能微电子

总部:昆山

官网:

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主营:

移动电源芯片

车充芯片

适配器协议芯片

44、艾为电子

总部:上海

官网:

金沙澳门官网 58

主营:

音频类

SMART K类

K类

D类

AB类

射频小器件

GPS LNA

FM LNA

电源类

呼吸灯驱动

闪光灯驱动

串联背光驱动

并联背光驱动

充电管理

OTG

OVP过压保护

触摸按键类

容式触控&手势

容式触控&手势+灯效

45、富瀚微

股票代码:300613

总部:上海

官网:

金沙澳门官网 59

主营:

IPC SoC

FH8630M

FH8630D

FH8830

FH8812

FH8620

FH8610

Camera ISP

FH8310

FH8556

FH8536H

FH8538D

FH8538M

FH8553

FH8550M

FH8550D

FH8536E

FH8532E

FH8510

46、艾派克微电子

总部:珠海

官网:

金沙澳门官网 60

主营:

打印机耗材专用IC

47、华灿光电

股票代码:300323

总部:武汉

官网:

金沙澳门官网 61

主营:

LED芯片、LED外延片

48、乾照光电

股票代码:300102

总部:厦门

官网:

金沙澳门官网 62

主营:

LED芯片、LED外延片

49、聚飞光电

总部:深圳

官网:

金沙澳门官网 63

主营:

背光LED器件

背光LED模组

照明LED

显示屏LED

车用LED

闪光灯LED

光通信

光学膜

AI芯片

50、中科寒武纪(Cambricon)

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 64

主营:

智能处理器IP

Cambricon-1A

MLU智能芯片

寒武纪MLU100智能处理卡

51、地平线机器人(Horizon Robotics)

总部:北京

官网:

金沙澳门官网 65

主营:

旭日1.0处理器

征程1.0处理器

功率半导体

52、吉林华微电子

总部:吉林

官网:

金沙澳门官网 66

主营:

双极型晶体管/BJT

200V(350V)低频大功率晶体管

400V(700V)低频大功率晶体管

450V~600V(750V~1100V)

低频大功率晶体管

600V以上(1100V以上)低频大功率晶体管

音频驱动

音频放大

高频小功率晶体管

其他

场效应晶体管/MOSFET

200V以下系列

200V-500V系列

600V-700V系列

大于800V系列

其他

肖特基二极管/SBD

HBR系列

MBR系列

SBL系列

轴向系列

贴片系列

LOW VF系列

快恢复二极管/FRED

200V

400V

600V

1200V

可控硅/SCR

单向晶闸管

双向晶闸管(Tj=150度)

双向晶闸管(Tj=125度)

绝缘栅双极型晶体管/IGBT

IGBT 放电管/SPD

SPD LED照明驱动/IC

非隔离LPF

隔离LPF

非隔离HPF

隔离HPF

智能功率模块/IPM

IPM

53、扬杰科技

股票代码:300373

总部:扬州

官网:

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主营:

分立器件

整流桥

二极管

整流二极管

快恢复二极管

超高效整流二极管

超快恢复二极管

肖特基二极管

光伏二极管

瞬态抑制二极管

稳压二极管

小信号开关二极管

小信号开关二极管2

小信号稳压二极管

小信号肖特基二极管

小信号三极管

功率模块

整流二极管模块

三相整流桥模块

晶闸管模块

晶闸管/整流二极管模块

晶闸管/三相整流桥模块

IGBT模块

肖特基模块

碳化硅肖特基模块

快恢复二极管模块

MOSFETS

中低压MOS

SGT MOS

高压超结MOS

DFN OEM

DFN1006-2L

DFN2020-6L

DFN2030-6L

DFN2030-8L

DFN2510-10L

DFN3333-8L

QFN3030-16L

PDFN5060-8L

晶圆

FRD芯片

SF系列(ASCUT)

HER系列(ASCUT)

FR系列(ASCUT)

SF系列(EPI)

MUR/UF系列(EPI)

UG系列(EPI)

HER/FR系列(EPI)

平面产品

PSBD & TSBD芯片

STD GPP芯片

高压模块雪崩芯片

固体放电管芯片

TVS 芯片

TVS芯片(平面低压系列)

TVS芯片(台面轴向系列)

TVS芯片(台面贴片系列)

汽车电子芯片(GPP系列)

STD系列

TVS系列

54、苏州固锝

总部:苏州

官网:

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主营:

二极管

通用二极管

快速恢复整流器

超快速整流器

高效整流器

肖特基势垒整流器

瞬态电压抑制器

电源整流器

高压整流器

双向触发DIAC

电子灯镇流器整流器

汽车整流二极管

齐纳二极管

PFC升压整流器

峰值钳位器件

tongbuzhengliuic

桥式整流器

桥式整流器

小信号二极管

快速开关整流器

肖特基二极管

PESD

PESD

MOSFET

场效应管

保险丝

用于Solarcell的旁路二极管模块

用于Solarcell的旁路二极管模块

55、台基股份

股票代码:300046

总部:湖北

官网:

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主营:

平板式元器件

普通晶闸管

快速晶闸管

高频晶闸管

双向晶闸管

整流二极管

快恢复二极管

大功率超高速半导体开关RSD

平板式功率模块

功率半导体模块

普通晶闸管模块

普通整流管模块

普通晶闸管/整流管混合模块

非绝缘型晶闸管模块

非绝缘型整流管模块

非绝缘型晶闸管/整流管混合模块

单相/三相整流桥模块

快速晶闸管/整流管模块

MUR200超快恢复二极管

散热器

功率组件

单相全桥组件B2系列

三相全桥组件B6系列

六相桥组件M6系列

交流开关W系列

双三相桥反并联结(B6C)2系列

高压组件和脉冲功率组件HV系列

非标功率半导体组件

UDS、UDQ系列电焊机整流桥

UDS三相整流桥

UDQ单相整流桥

特种半导体器件

大功率超高速半导体开关RSD

56、韦尔半导体

总部:上海

官网:

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主营:

保护器件(ESD/Surge Protection)

小功率静电保护器件

大功率浪涌保护器件

大功率固体放电管

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)

场效应晶体管(MOSFET)

双极型晶体管(Transistor)

电源管理(Power Management)

线性稳压器

开关稳压器

LED驱动

负载开关

过压保护

充电管理

模拟开关(Analog Switch)

数据开关

音频开关

USB-C接口电路(USB-C IC)

逻辑识别

射频器件(RF IC)

射频开关

低噪声放大器

天线调谐器

音频器件(Audio IC)

57、无锡华润华晶微电子

总部:无锡

官网:

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主营:

MOS.场效应晶体管(MOSFET)

高压MOSFET

低压MOSFET

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

双极型晶体管(BJT)

电光源用(Electronic Lighting)

开关电源用(Switching Power)

保护电路(TISP)

二极管(Diode)

快恢复二极管(FRD)

肖特基二极管(SBD)

恒流二极管(CRD)

58、银河微电子

总部:常州

官网:

金沙澳门官网 72

主营:

二极管

整流二极管

桥式整流器

快恢复二极管

高效率二极管

超快恢复二极管

肖特基二极管

小信号肖特基二极管

小信号开关二极管

稳压二极管

瞬态电压抑制二极管

双向触发二极管

高压触发二极管

固态放电管

晶体管

双极型晶体管

数字晶体管

场效应晶体管

线性IC

线性稳压电路

电压基准

光电器件

光耦

59、无锡新洁能

总部:无锡

官网:

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主营:

MOSFET

Super Trench MOSFET

Super Junction MOSFET

IGBT

60、深爱半导体

总部:深圳

官网:

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主营:

MOSFET系列

MOSFET高压系列

MOSFET中低压系列

双极型晶体管

BUL&MJE系列

D系列

L系列

H系列

肖特基二极管

快恢复二极管

PC电源管

LED驱动

隔离产品

非隔离产品

可控硅调光

RCC PSR

LED电源方案

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注:如果是以上芯片元器件原厂、代理商、方案商、终端厂家请发资料至邮箱ittbank@ittbank.com!

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